方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值，該數(shù)值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小與樣品尺寸無關(guān)，其單位為Siements/sq，后增加歐姆/sq表征方式，該單位直接翻譯為方塊電阻或者面電阻，用于膜層測量又稱為膜層電阻。

測試方法

方塊電阻如何測試呢，可不可以用用表電阻檔直接測試圖所示的材料呢?不可以的，因用表的表筆只能測試點(diǎn)到點(diǎn)之間的電阻，而這個點(diǎn)到點(diǎn)之間的電阻不表示何意義。如要測試方阻，我們需要在A邊和B邊各壓上個電阻比導(dǎo)電膜電阻小得多的圓銅棒，而且這個圓銅棒光潔度要，以便和導(dǎo)電膜接觸良好。這樣我們就可以通過用用表測試兩銅棒之間的電阻來測出導(dǎo)電薄膜材料的方阻。

如果方阻值小，如在幾個歐姆以下，因?yàn)榇嬖诮佑|電阻以及用表本身性能等因素，用用表測試就會存在讀數(shù)不穩(wěn)和測不準(zhǔn)的情況。這時就需要用門的用四端測試的低電阻測試儀器，如毫歐計(jì)、微歐儀等。測試方法如下:用四根光潔的圓銅棒壓在導(dǎo)電薄膜上，如圖二所示。四根銅棒用A、B、C、D表示，它們上面焊有導(dǎo)線接到毫歐計(jì)上，我們使BC之間的距離L等于導(dǎo)電薄膜的寬度W，至于AB、CD之間的距離沒有要求，般在10--20mm就可以了，接通毫歐計(jì)以后，毫歐計(jì)顯示的阻值就是材料的方阻值。這種測試方法的優(yōu)點(diǎn)是:(1)用這種方法毫歐計(jì)可以測試到幾百毫歐，幾十毫歐，甚至更小的方阻值，(2)由于采用四端測試，銅棒和導(dǎo)電膜之間的接觸電阻，銅棒到儀器的引線電阻，即使比被測電阻大也不會影響測試度。(3)測試度。由于毫歐計(jì)等儀器的度很，方阻的測試度主要由膜寬W和導(dǎo)電棒BC之間的距離L的機(jī)械度決定，由于尺寸大，這個機(jī)械度可以做得。在實(shí)際操作時，為了提測試度和為了測試長條狀材料，W和L不定相等，可以使L比W大很多，此時方阻Rs=Rx*W/L,Rx為毫歐計(jì)讀數(shù)。

此方法雖然度，但麻煩，尤其在導(dǎo)電薄膜材料大，形狀不整齊時，很難測試，這時就需要用用的四探針探頭來測試材料的方阻，如圖三所示。

探頭由四根探針阻成，要求四根探針頭的距離相等。四根探針由四根引聯(lián)接到方阻測試儀上，當(dāng)探頭壓在導(dǎo)電薄膜材料上面時，方阻計(jì)就能立即顯示出材料的方阻值，具體原理是外端的兩根探針產(chǎn)生電場，內(nèi)端上兩根探針測試電場在這兩個探點(diǎn)上形成的電勢。因?yàn)榉阶柙酱?，產(chǎn)生的電勢也越大，因此就可以測出材料的方阻值。需要提出的是雖然都是四端測試，但原理上與圖二所示用銅棒測方阻的方法不同。因電場中僅少分電在BC點(diǎn)上產(chǎn)生電壓(電勢)。所示靈敏度要低得多，比值為1:4.53。

影響探頭法測試方阻度的因素:

(1)要求探頭邊緣到材料邊緣的距離大大于探針間距，般要求10倍以上。

(2)要求探針頭之間的距離相等，否則就要產(chǎn)生等比例測試誤差。

(3)理論上講探針頭與導(dǎo)電薄膜接觸的點(diǎn)越小越好。但實(shí)際應(yīng)用時，因針狀電容易破壞被測試的導(dǎo)電薄膜材料，所以般采用圓形探針頭。

zui后談?wù)剬?shí)際應(yīng)用中存在的問題

1、如果被測導(dǎo)電薄膜材料表面上不干凈，存在油污或材料暴露在空氣中時間過長，形成氧化層，會影響測試穩(wěn)定性和測試度。在測試中需要引起注意。

2、如探頭的探針存在油污等也會引起測試不穩(wěn)，此時可以把探頭在干凈的白紙上滑動幾下擦擦可以了。

3、如果材料是蒸發(fā)鋁膜等，蒸發(fā)的厚度又太薄的話，形成的鋁膜不能均勻的連成片，而是形成點(diǎn)狀分布，此時方塊電阻值會大大增加，與通過稱重法計(jì)算的厚度和方阻值不樣，因此，此時就要考慮到加入修正系數(shù)。